RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
56
Около -167% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.2
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
21
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
17.6
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
3126
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link