Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB против G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Причины выбрать
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

39 52

Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14 9.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.5 7.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 14900

Около 1.14 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

52 39
Скорость чтения, Гб/сек

9.7 14.0
Скорость записи, Гб/сек

7.2 10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14900 17000

Other

Описание

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-10-9-28 / 1866 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2173 2834

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB

G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB

Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB

Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Kingston 9905701-018.A00G 16GB

Kingston 9905701-018.A00G 16GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB

Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB

Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9965640-015.A00G 32GB

Kingston 9965640-015.A00G 32GB

модули RAM