Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    40 left arrow 62
    Около -55% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    11 left arrow 7.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.0 left arrow 5.9
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    62 left arrow 40
  • Скорость чтения, Гб/сек
    7.4 left arrow 11.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.9 left arrow 10.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1612 left arrow 2493
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения