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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
62
Rund um -55% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
62
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
11.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
10.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2493
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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