Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Note globale
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Note globale
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Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    40 left arrow 62
    Autour de -55% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    11 left arrow 7.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    10.0 left arrow 5.9
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    62 left arrow 40
  • Vitesse de lecture, GB/s
    7.4 left arrow 11.0
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    5.9 left arrow 10.0
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1612 left arrow 2493
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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