Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Motivi da considerare
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

40 62

Intorno -55% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

11 7.4

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

10.0 5.9

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1612 2493

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns