Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Причины выбрать
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 52

Около -126% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.7 9.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.5 7.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 14900

Около 1.14 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

52 23
Скорость чтения, Гб/сек

9.7 17.7
Скорость записи, Гб/сек

7.2 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14900 17000

Other

Описание

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-10-9-28 / 1866 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2173 3115

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

AMD R748G2400S2S 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB

Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Kingston 9965662-008.A01G 16GB

Kingston 9965662-008.A01G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston HX424C15FB/16 16GB

Kingston HX424C15FB/16 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Kingston 99U5624-003.A00G 8GB

Kingston 99U5624-003.A00G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB

Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB

Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM