Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Средняя оценка

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Причины выбрать
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

51 52

Около -2% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.8 9.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.5 7.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 14900

Около 1.72 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

52 51
Скорость чтения, Гб/сек

9.7 15.8
Скорость записи, Гб/сек

7.2 12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14900 25600

Other

Описание

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

9-10-9-28 / 1866 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2173 2570

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Kingston 9905663-016.A00G 16GB

Kingston 9905663-016.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB

Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingston KHX3000C16/16GX 16GB

Kingston KHX3000C16/16GX 16GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB

Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB

Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB

модули RAM

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Corsair VSA2GSDS667C4 2GB

Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB

Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB

модули RAM