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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
51
52
左右 -2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
14900
左右 1.72 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
51
读取速度,GB/s
9.7
15.8
写入速度,GB/s
7.2
12.5
内存带宽,mbps
14900
25600
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
2570
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
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