Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

总分
star star star star star
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

总分
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    51 left arrow 52
    左右 -2% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    15.8 left arrow 9.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.5 left arrow 7.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 14900
    左右 1.72 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    52 left arrow 51
  • 读取速度,GB/s
    9.7 left arrow 15.8
  • 写入速度,GB/s
    7.2 left arrow 12.5
  • 内存带宽,mbps
    14900 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2173 left arrow 2570
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较