RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сравнить
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB против Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Средняя оценка
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
62
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.2
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
14900
Около 1.43 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
62
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
16.1
Скорость записи, Гб/сек
7.2
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
21300
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2173
1586
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link