RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB

Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 15.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 8.0
    Среднее значение в тестах
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB Причины выбрать
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 24
    Около -4% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 23
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 15.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 8.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2414

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
модули RAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
модули RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
модули RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
модули RAM
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
модули RAM