Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против A-DATA Technology DDR4 4133 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR4 4133 8GB

A-DATA Technology DDR4 4133 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 28

Около 7% меньшая задержка

A-DATA Technology DDR4 4133 8GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.6 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.7 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

A-DATA Technology DDR4 4133 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 28
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 18.6
Скорость записи, Гб/сек

9.0 15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 3741

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB

Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB

Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB

Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB

Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 9965640-008.A01G 32GB

Kingston 9965640-008.A01G 32GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Panram International Corporation M424016 4GB

Panram International Corporation M424016 4GB

модули RAM