RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
47
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
47
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
11.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2323
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link