RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
71
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.5
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
36
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
14.0
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2519
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link