RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
14
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
71
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
36
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2519
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link