RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Comparar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
14
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
71
Por volta de -97% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
36
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
10.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
2519
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link