RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3415
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link