RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
72
Около 64% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
72
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1731
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 2600 2OZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link