RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2528
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link