RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
14.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2873
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R744G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link