RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2873
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link