RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
54
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2706
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link