RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3404
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link