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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
25
读取速度,GB/s
12.8
17.3
写入速度,GB/s
9.0
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3404
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Kingston 9905402-534.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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