RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
26
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
19
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
20.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3066
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link