RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
26
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
19
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3066
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link