RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3127
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link