RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
26
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
14.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3127
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link