RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3525
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link