RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
34
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.4
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
14.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2616
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link