RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
11.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2855
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link