RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
74
Около 65% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
74
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1849
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link