RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
39
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
14.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3233
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link