RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3126
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link