RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3126
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link