RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2882
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link