RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2882
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link