RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2882
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link