RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3914
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link