RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.3
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
18.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3414
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link