RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3414
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston 99U5428-052.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333S364L9/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link