RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
104
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.8
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.0
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
8.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
5.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1967
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link