RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
104
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.8
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.0
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
8.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
5.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1967
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Jinyu 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link