RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
26
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.7
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
20
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
20.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
19.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
4235
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link