RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
26
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.7
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.2
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
20
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
20.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
19.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
4235
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
UMAX Technology 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link