RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.4
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
13.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2673
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link