RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
11.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2354
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link