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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
31
Por volta de 16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
11.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2354
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
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