RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3498
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link