RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3498
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link