RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Kingston 9905678-058.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
26
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2709
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link