Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Kingston 9965604-016.C01G 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Средняя оценка

Kingston 9965604-016.C01G 8GB

Kingston 9965604-016.C01G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 30

Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения

12.8 11.3

Среднее значение в тестах

Kingston 9965604-016.C01G 8GB

Причины выбрать
Kingston 9965604-016.C01G 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

10.0 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Kingston 9965604-016.C01G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 30
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 11.3
Скорость записи, Гб/сек

9.0 10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 2580

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Kingston 9965604-016.C01G 8GB

Kingston 9965604-016.C01G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB

Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston 9905630-033.A00G 16GB

Kingston 9905630-033.A00G 16GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB

модули RAM

Corsair CMZ8GX3M1A1600C9 8GB

Corsair CMZ8GX3M1A1600C9 8GB

Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB

Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905598-006.A00G 8GB

Kingston 9905598-006.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

модули RAM