Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Средняя оценка

Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 32

Около 19% меньшая задержка

Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

Причины выбрать
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.6 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.5 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 32
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 16.6
Скорость записи, Гб/сек

9.0 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 3049

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905598-019.A00G 16GB

Kingston 9905598-019.A00G 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB

Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB

модули RAM

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Kingston KHX2400C15/16G 16GB

Kingston KHX2400C15/16G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Kingston 9965669-008.A03G 16GB

Kingston 9965669-008.A03G 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

модули RAM

Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB

Corsair CMZ8GX3M1A1600C10 8GB

Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB

модули RAM